Les nombreuses réalisations de phototransistors microondes HPT SiGeet VCSEL pour la conception de circuits intégrés opto-microondes, testés sous pointes, ont permis de développer une méthode de cartographie afin de mieux comprendre les mécanismes physiques des phototransistors bipolaires et d’évaluer précisément la zone de détection optimale du HPT qui permet d’augmenter le gain ou la fréquence de transition.
- L’approche technologique effectuée sur le composant HPT (Heterojunction Bipolar Transistor) à partir de technologies HBT industrielles (SiGe et InGaAs) a permis de développer une expertise sur le comportement triporte des HPT en vue de l’Intégration du composant dans des OE-MMIC et photorécepteur faible coût pour des applications systèmes et tout silicium. Un grand nombre de HPT SiGe de géométries différentes, pour des applications de liaisons optiques à ultra haut débit, ont été réalisés en collaboration avec Telefunken GmbH. Il a ainsi été montré que le HPT introduit une dynamique plus grande qu’une photodiode.
- Le développement de VCSEL pour la RoF domestique a permis de démontrer l’intérêt des caractéristiques de non-linéarité et de bruits pour sélectionner et optimiser les composants.
- L’intégration et l’hybridation photonique-microondes sur silicium avec le HPT et l’intégration du VCSEL représentent également une forte originalité.